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探索闪存的“核心”创新,以满足存储的新未来

发布时间:2019-05-03 点击量:

我很荣幸有机会与您分享存储闪存行业的分析和芯片的研发,包括对芯片开发技术路线的一些思考和探索。

数据每天都在变化,但更重要的是如何分析数据,从中获取数据,收集和分析数据,以及存储数据。分析过程需要大量存储,因此需要存储。它将继续增长,需求量非常大,这对闪存行业来说是一个非常大的推动力和机遇。

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传统的闪存过程称为2D闪存。如今,发展遇到了障碍,接近过程限制。在这种背景下,3D NAND闪存应运而生。

什么是3D NAND闪存?

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如果我们建造一个二维停车场,我们的目标是尽可能多地停车,但当面积越来越小时,每辆车的空间会逐渐被压缩;与3D NAND相比,二维停车领域是三维的,这为闪存的存储密度提供了新的方向。我们不仅有增长空间,而且汽车占据相对宽松的位置。

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通常我们会问这样一个问题,你有多少纳米的3D NAND闪存?这个问题实际上源于传统的2D闪存概念。当15nm~16nm时,二维结构已经减少。有一个限制,业内无法通过减少二维结构成功地增加密度,并保持成本下降,因此3D NAND闪存相当于让二维闪存具有新的发展方向。

但3D NAND闪存的最大优势是增加闪存密度,而且成本将继续下降,帮助每个人更好地利用数据存储。如今,业界80%的主要闪存都是3D NAND。

今年主要的3D NAND闪存是64层,每个人都听说过有关96层3D NAND闪存的一些消息。

长江存储在这种环境下开始了我们的3D NAND闪存开发。自2014年以来,通过与中国科学院的合作,长江仓储管理已经确定了3D NAND闪存的发展机遇,并开始了闪存的投资和研发。

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今年我们继续发展到更高水平的闪存,工厂正在建设中。这是我们去年成功展示的第一个闪存应用程序。我们也在考虑如何减少研发周期并将最先进的闪存技术推向市场,因此这些是过去两年中探索的一些关键点。

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最后,让我谈谈长江储存的三个原则。对我们来说,闪存业务和芯片业务中最重要的是技术和创新。我们的对手非常强大。他们的成功基于他们的技术创新。没有技术创新。在这个行业中生存是不可能的。我们需要长期持续投资,我们必须拥有自己可以控制的技术和知识产权。这是我们最重要的第一步。


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